李林教授,祖籍湖北黄岗,出生于北京书香门第,科学世家.1944年毕业于广西大学,后去英国留学,曾从师于金属位错的发现者 Cottrell教授.在英国攻读硕士、博士学位期间，研究高纯铝的蠕变与低碳钢的时效硬化。博士论文答辩之后，在巴黎参加了国际会议后即取道苏联返回祖国，投身于新中国的科技事业。
在上海治金所协助周仁所长研究国家急需的球墨铸铁，1956年获中国科学院自然科学三等奖；研究包头铁矿的含F炉渣对石墨耐火材料的腐蚀获1981年国家自然科学三等奖。在金属物理研究中多有建树，发表了重要论文，建立了电子显微镜实验室，为我国早期电子显微镜研究专家之一。并在1956年赴东京参加第一届亚太电子显微镜学会，为长期的国际交流奠定了基础。
李林教授由于工作需要于1985年调入核工业部，从事有关金属材料的研究。为我国材料的生产工艺改进，辐照损伤及性能测试分析做了大量的工作，是一位为我国核对材料研究的发展做出了重要贡献的无名英雄。1973年以后李林教授从事低温超导研究，并于1978年到物理所从事探索高温超导体研究。她丰富的经验及坚持在第一线从事科学研究的作风对年轻的同事有很大影响，并指导了大批研究生。在很多方面取得了重要成果，特别是在超导薄膜及物理方面。如在中国第一家制备出了临界温度最高的A15 Nb3Ge,这在当时国际上也是为数不多的。系统地研究了A15 Nb3Ge的成相规律和Mo-Si,Mo-Ge非晶薄膜生长特性和物理性质，发表了多篇重要论文。
1986年高温氧化物超导体发现不久，立刻进行了Sr-la-cu-O薄膜的研制工作，用直流磁控溅射及后热处理法获得了Tc=27K的薄膜样品，在中国物理快报上发表了文章，这是国内处发表的最早的文章之一。1987年初发现了液氮温区超导体后，又立即开展了Y-Ba-Cu-O薄膜的研制工作，采用射频磁控溅射及后热处理法，用粉末靶，在1987年6月得到Tc0=82K的淮氮温区超导的薄膜，1988年底获得临界电流密度Jc=1.34′106A/cm2,Tco=90k的薄膜,使用这种方法不加后热处理,制备出了用于超导器件的高质量外延薄膜,1989年底获得了c-轴取向的、重复性比较好的外延单晶薄膜，Jc=3.4′106A/cm2.她所领导的研究组在薄膜制备方面一直跟随国际先进不平。1990年开始制备YBCO/PBCO多层膜及超晶格，最薄层是一个单胞，Tc仍可达到43K。
到1992年为止，共发表30多篇文章，并获得1991年中国科学院科技进步一等奖和1992年国家科技进步二等奖。
李林教授还没有等待得到博士证书，即急速返回刚刚建立的新中国。她的剑桥大学博士证书一直到文化大革命之后考由英国的朋友带来。几十年来，李林博士从南到北，从一个单位转到另一个单位，服从于祖国的需要。每到一处都留下了丰硕的成果。特别是她坚持严谨治学，提携年轻学子，坚持在第一线从事科学研究的风范，为大家树立了榜样。1980年她当选为中国科学院学部委员。多年来参加了很多全国青联、全国妇联及政协的工作和国际学术交流活动，为祖国科学事业的发展及人才的培养作出了重大贡献。为向李林教授学习和庆贺李林教授献身于祖国科学事业四十年所取得的业绩，特出本文集，由于编者水平有限，不当之处欢迎各位指正。
衷心祝愿李林教授身体健康，为祖国的科学事业作出更大的贡献。
超导国家重点实验室
1993年6月26日 |
