林兰英院士
  半导体材料学家  
  　　林兰英，半导体材料学家。1918年生，福建莆田县人。1940年毕业于协和大学，1955年获美国宾州大学固体物理学博士学位。1957年回国后历任中国科学院半导体研究所研究员，副所长，中国科协副主席，全国人大代表、常委，1980年当选为中国科学院院士。 　　林兰英从事半导体材料科学40余年，是中国半导体材料科学的奠基人和开拓者。她率先组织和领导了我国生长硅单晶、锑化铟、砷化镓和磷化镓单晶的研究，并首先获得了上述半导体单晶。为在我国率先研究半导体集成电路和光电子器件的单位提供了多种半导体单晶材料，并向全国推广上述单晶生长技术和相应的材料测试技术，为我国微电子学和光电子学的开创奠定了基础。参与组织领导4千位16千位大规模集成电路-MOS随机存储器的研制，1980、1982年两次获得中科院科技进步一等奖。她指导的高纯砷化镓液相外延和气相外延材料研究达到国际先进水平，其中高纯砷化镓气相外延研究至今仍然保持着采用卤化系统的国际最高水平。1981年获中科院科技进步一等奖，1985年获国家科技进步二等奖。1987年首次在世界上在微重力条件下从熔体中生长砷化镓单晶获得成功。以后又相继四次在我国返回式卫星上生长生长砷化镓单晶，在空间晶体生长、材料物理研究及器件应用等方面取得了许多令世界同行瞩目的科研成果。利用空间生长的半绝缘砷化镓制造的微波低噪声场效应晶体管和模拟开关集成电路的特性及优质品率显著提高。 　　1989年获中科院科技进步一等奖，1990年获国家科技进步三等奖，1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖。
  
 

  林兰英论文选
    作者：林兰英  页数：459  出版日期：1992年12月第1版

  林兰英院士科研活动论著选集
    作者：《林兰英院士科研活动论著选集》编辑委员会  页数：494  出版日期：2000年08月第1版